パワー エレクトロニクス

パワー エレクトロニクス

Veeco 社の MOCVD システムは、粒子の発生が少ないことや収率が高いことなど、GaN-on-Si の生産で重要な優位性を提供します。

窒化ガリウム(GaN)は、従来のシリコン MOSFET よりも高い効率と速いスイッチング速度を発揮する新世代の電力スイッチング素子を実現し、現代の高性能エレクトロニクスの需要に応えていますVeeco 社の MOCVD システムは、粒子の発生が少ないことや収率が高いことなど、GaN-on-Si の生産で重要な優位性を提供します。

先進の GaN 電力素子エレクトロニクス

エネルギー効率に優れた新しい電力アーキテクチャを世界中の企業が導入できるようにするために、新世代のパワー エレクトロニクスに対する需要は増加し続けています。この成長に応えるために、GaN テクノロジーは、研究開発段階から本格的な規模の生産段階へ急速に移行しています。この生産段階とは、電力用半導体業界の要件に最適なコストで高効率の部品を製造できることを意味します。

世界をリードするGaN処理装置の専門企業として、Veeco MOCVDテクノロジーはGaN-on-Si生産を飛躍的に前進させるプラットフォームを提供し、ウエハあたりのコストと性能の問題を解決して、GaN-on-Siパワーエレクトロニクスを商業的成長の可能性を持つ分野へと導いています。

Veeco 社の GaN 製造ソリューション

Veecoは、LED市場の飛躍的な成長をMOCVDテクノロジーで支えてきましたが、まったく同様に、GaN-on-Siエピタキシーの分野でも、高効率で実績のある製造システムを用意しています。当社の単一ウエハPropel™ Power GaN MOCVDシステムは、総所有コストを削減しつつ、高い柔軟性とプロセスの生産性を実現するシステムの世界標準を打ち立てています。

MOCVD システム

Veecoは、低所有コストで高いスループットを目的とした業界最先端の様々なMOCVD装置をお届けします。

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