Veeco原子Hソースから分子線エピタキシー装置（MBE）用に、原子HへのH2の急速で信頼性のある高熱分解を利用することができます。この高融点金属源は1800～2200°C間で作業できるよう設計されており、ほとんどの処理および成長チャンバーと互換性があります。高温分子線エピタキシー装置（MBE）の他にも、原子Hは、低温in－situ基板洗浄および構造過成長処理にも最適です。

• H2を原子Hに分解する特殊高温熱クラッカー：基板洗浄およびMBE成長中に役立ちます
• タングステンヒーターフィラメントは、1800～2200°Cにおける操作用に気体コンダクタンス管内に配置
• ほとんどの準備および成長室と互換可能な 2.75"/70mm 水冷Cf 取り付けフランジで使用可能
• 低温in－situ基板洗浄および構造過成長処理に最適
• 応用には、2次元GaAs成長、GaN成長速度向上および選択エピタキシーの推進が含まれます

Veeco原子状水素ソースによる原子状水素のクラッキング効率は、エピタキシーおよび基板の洗浄に関連するさまざまな用途の固体ソースMBEで使用されています。自作クラッカー ソースによって生成される熱分解済みH2の使用で実現した結果が多く報告されています。