NEXUS IBEイオンビーム エッチング システム
多様なエネルギーと処理角度にわたって、優れた均一性
NEXUS® IBE™イオンビーム エッチング システムは高いスライダー製造歩留まりと優れたイオンビーム エッチングの均一性を実現します。The IBE System offers unsurpassed uniformity over a wide range of energy and process angles, making it ideal for etch depth control of next-generation ABS step and cavity processing.
- 均一性に優れ、 エッチ深さ制御を改善しました。
- 最高のスループットと小フットプリントによりCoO を低減できます。
- 世界トップクラスのNEXUSハードウェアとソフトウェアプラットフォームと簡単に ドック増設できます
- NEXUS Ion Source improves etch uniformity and process repeatability
- プロセスでの適性を確認済みの動作であれば、RF350 ソースの利用も可能です。
- Platform can be cost-effectively field-upgraded to NEXUS Ion Source
