精密表面処理システム

精密表面処理システム

精密表面処理 - WaferEtch

精密表面処理 - WaferEtch

TSV Revealを搭載した、ウエハ処理の革新的なソリューション

精密表面処理の単一ウエハ湿式エッチング技術により、相互汚染なしに、複数のプロセスレベルで均一な選択的エッチングが可能になります。毎日のように、1%よりも良いエッチング均一性が得られます。高度なパッケージングの場合でも、FEOL/BEOL湿式エッチングの場合でも、WaterEtchシステムを使用すると、最低限の製造コストで最大限の収益プロセスを実現できます。アクティブ領域、裏側領域、傾斜領域でエッチング構造または膜が必要な場合において、WaferEtchシステムは実績のある技術ソリューションです。

TSV Revealer

WaferEtchプラットフォームの主力製品であるTSV Revealerは、相互接続部が見えるようにウエハを薄くするプロセスを処理するために特別に構成されています。これはプロセス制御とコスト削減のための、2.5Dおよび3D-ICパッケージングの製造における不可欠なステップになります。TSV Revealerは、ドライエッチング方式に必要な4つのツールを置き換えます。CMP、プラズマ エッチング、シリコンの厚さ測定、およびウエハ洗浄の機能を果たします。エッチング システムに厚さ測定センサーを組み込むことにより、ウエハのエッチング プロセスをクローズドループ制御できます。TSV Revealerにより、CoOの大幅な削減が達成され、3D TSVがより経済的で実現可能なものになります。

特長:

  • 統合された厚さ測定
  • 半径方向の厚さの不均一に対するアーム移動での補償
  • CoOを最小限に抑えるための化学的再循環
  • 設置面積が小さい

アプリケーション:

  • アドバンスド パッケージング
    • 2.5Dインターポーザー
    • 3D IC

金属/UBM/RDLエッチング

金属の湿式エッチングは単一ウエハの精度と再現性で処理され、ウエハ内とウエハ間の両方で、通常、最初の均一性は3%以下で、その後で1%より良くなるように最適化できます。精密表面処理のWaferChek®システムにはin situ適応型プロセス制御機能があり、ウエハの光学的特性によって湿式エッチング プロセスを管理します。

特長:

  • エンドポイント検出
  • 優れたプロセス制御
  • 相互汚染なし
  • CoOを最小限に抑えるための化学的再循環
  • エッチングの均一性を高めるため、液体フローと組み合わせたアームスキャンとウエハのスピン速度をプログラム可能
  • 片面用途向けのアクティブ表面保護

アプリケーション:

  • MEMS
  • RF
  • パワー エレクトロニクス
  • LED
  • データ ストレージ
  • 高度なパッケージング(2.5および3D IC)

誘電体エッチング

特長:

  • 優れたプロセス制御
  • 相互汚染なし
  • 最低限の所有コスト

アプリケーション:

  • MEMS
  • RF
  • パワー エレクトロニクス
  • LED
  • データ ストレージ

 

 

 

 

 

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