原子層蒸着（ALD）による他の方法と比較した薄膜蒸着の最も重要な利点は、膜のコンフォーマリティ、低温処理、化学量論的制御、および自己制限と自己組織化に関連する固有の膜品質ALDメカニズムの4つの異なる領域で明らかになっています。ALDは、超高アスペクト比のトポグラフィを示すコーティング表面や、高品質のインターフェース技術を備えた多層膜を必要とする表面で非常に効果的です。
高度に制御可能な薄膜のALD
ナノメートル レベルの制御を備えた、自己制限的で自己構成的な動作に基づく膜厚
多成分膜の化学量論的制御
非常に広い領域に拡張可能な膜/プロセス
優れた再現性
広いプロセス ウィンドウ（温度またはプリカーサーの線量変動に関して）
低レベルの欠陥密度
基板と温度に応じた非結晶質膜または結晶質膜のタイプ
多層コーティング、ヘテロ構造、ナノラミネート、混合酸化物、グレーデッド インデックス レイヤー、ドーピングの微細制御
酸化物、窒化物、金属、半導体に利用可能な標準レシピ
シリコン トレンチに蒸着したCu2S/SnS2/ZnSの3層。CZST膜の組成プロファイルは、SIMSによってさまざまな熱アニールの後に分析されます。
参照：Thimsen et al, Chemistry of Materials, 24 (16), 3188-3196 (2013). doi:10.1021/cm3015463
高度に制御可能な薄膜のALD
優れた適合性、100%段階被覆率：平坦で、多孔質の内部、および粒子サンプルの周りの均一なコーティング
基板の形状に適合する原子スケールのフラットで滑らかなコーティング
300：1 AAOナノテンプレート（470：1最終AR）でALDによって蒸着されたLi5.1TaOzのコンフォーマルな蒸着
参照：Liu, J. et al., J. Phys. Chem. C 117, 20260–20267 (2013).
困難な基板用のALD
敏感な基板用の穏やかな蒸着プロセス
低温蒸着が可能（RT-800°C）
低出力プラズマ処理（最低20～50W）機能
ポリマー、OLED、および貴金属表面にコーティングを実証
1層目の化学結合による優れた粘着性
分子の自己組織化による低ストレス
Al2O3 – 室温での水透過率（WVTR）が5E-7g/m2/日のZrO2ナノラミネートカプセル化 – Savannah®に80℃で蒸着
参照：Meyer, J., et al. (2009). Applied Physics Letters, 94(23), 233305