NEXUS IBD イオンビーム蒸着システム

ハードバイアス、絶縁層およびセンサー スタック蒸着に最適

Veecoの第3世代のNEXUS® イオンビーム蒸着（IBD）システムは、80Gb/平方インチ センサーの歩留まり向上と将来のTFMHデバイス製造の厳しいご要望にお答えします。

• CIP装置から最先端のCPP装置まで、幅広い装置に対応
• MRAMアプリケーションおよびGMRとトンネル磁気抵抗（TMR）薄膜磁気ヘッドに最適
• すべてのコリメーテド蒸着へのアプリケーションに対するCD制御を改善
• 蒸着柱の対称口から鋭い取り出しアングル
• プラットフォームは、PVD、IBEおよびその他の技術と簡単に統合

IEEE International Interconnect Technology Conference（IITC）で発表した、Veeco 社の主任プロセス開発エンジニア、Frank Cerio 博士。プレゼンテーション、「イオンビーム蒸着を使用し低抵抗率を達成するためのタングステンの微細構造最適化」は、ポスターとしても掲載されました。今すぐ見る：