WaferEtch 湿式処理プラットフォーム

WaferEtchプラットフォームは、高度パッケージング、MEM、RF、データ ストレージ、フォトニックなどの市場で、重要な水性のプロセス各種を対象に、業界の多くの企業が選択している製品です。手動ロード(ML)と3300シリーズ プラットフォームの2つのバージョンがあります。MLシステムは、研究開発およびパイロット環境に適しています。3300シリーズ プラットフォームは、業界の大量生産に大きく貢献しています。この3300シリーズ アーキテクチャは、スループット要件に応じて、システムあたり最大8つのチャンバーを搭載できるため、高い柔軟性を有します。さらに、このシステムは、最小限のハードウェア修正により複数のウエハサイズとウエハタイプを処理できます。最後に、プロセス チャンバーを垂直に積み重ねられるため、システムの設置面積を最小限に抑えることができます。Etchプロセス チャンバーは、湿式ベンチやその他の単一ウエハの代替品と比較して、プロセス制御上の利点が多くあります。

主な特長:

  • WaferChekエンドポイント – 光学エンドポイントは、エッチングのエンドポイントを正確に識別できるので、アンダーカットを最小限に抑え、スループットを改善し、化学薬品のコストを削減します。
  • 双曲線アームスキャン制御 - ユーザーは分注アームパターンを調整してエッチングの均一性を最適化
  • 適応スパイキング- バッチ間およびバッチ内のエッチング速度を安定させる化学的濃度制御。

システム アーキテクチャ

大容量プラットフォーム - 3300シリーズ

  • 1 – 10チャンバー モジュラー システム
  • 低設置面積 - 積み重ね型チャンバー
  • オン ボードの化学物質供給
  • 複数のウエハサイズ - 50 ~ 300mm
  • 複数の基板タイプ – Si、LiTaO3、サファイア、ガラス

R & D 用手動ロード プラットフォーム – ML

  • 単一チャンバー - 手動ロード

                      

WaferEtch3300シリーズ プラットフォーム 手動ロード プラットフォーム

 

アプリケーション

UBM / RDL エッチング

  • I/Oカウントが増加し性能要件が厳しくなるにつれて、RDL(再配線層)ライン / スペースの縮小が続いています。こういった小さい寸法を可能にするには、優れたプロセス制御が必要です。WaferEtchプラットフォームは、WaferChekエンドポイントおよび双曲線分注アーム動作により、これらのプロセス要件を満たします。

化合物半導体エッチングおよびシリコン シンニング

  • フォトニクスと電力市場が成長し続ける中で、メーカーはプロセスをベンチ スケールから大量生産へと拡大しています。WaferEtchシステムは、ユーザーにベンチ スケール アプローチでは不可能なプロセス制御力と共に、ウエハサイズと基材の柔軟性も提供します。

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