WaferStorm 湿式処理プラットフォーム
WaferStormプラットフォームは、高度パッケージング、MEM、RF、データ ストレージ、フォトニックなどの市場で、重要な溶剤ベースのプロセス各種を対象に、業界の多くの企業が選択している製品です。手動ロード（ML）と3300シリーズ プラットフォームの2つのバージョンがあります。MLシステムは、研究開発およびパイロット環境に適しています。3300シリーズのプラットフォームは、業界における大量生産に大きく貢献しています。
3300シリーズのアーキテクチャは、スループット要件に応じてシステムごとに最大8つのチャンバーを搭載できるため、非常に柔軟です。さらに、このシステムは、最小限のハードウェア修正により複数のウエハサイズとウエハタイプを処理できます。最後に、プロセス チャンバーは垂直に積み重ねられるので、システムの設置面積を最低限に抑えることができます。
システム アーキテクチャ
大容量プラットフォーム – 3300シリーズ
- 1 – 10チャンバー モジュラー システム
- 低設置面積 - 積み重ね型チャンバー
- オン ボードの化学物質供給
- 複数のウエハサイズ - 50 ～ 300mm
- 複数の基板タイプ – Si、LiTaO3、サファイア、ガラス
R&D 用手動ロード プラットフォーム – ML
- 単一チャンバー - 手動ロード
WaferStorm3300 シリーズ プラットフォーム 手動ロード プラットフォーム
溶剤用途
金属リフト オフ
- 金属リフト オフ（MLO）は、基盤となる基板を損傷することなく容易に金属をエッチングできない化合物半導体および RF 市場において、重要なプロセスです。ImmJETテクノロジーを搭載した WaferStormシステムは、金属リフト オフの世界的な市場シェア リーダーです。ImmJET技術は、バッチ浸漬と単一ウエハ スプレー処理を組み合わせたものです。浸漬ステップでは、加熱溶媒を撹拌して使用します。浸漬により軟化した後、ウエハは単一ウエハ噴霧ステーションに移送されます。そこで、高圧ファンによる加熱溶媒の噴霧に曝露され、厚膜の残留物が迅速に完全除去されます。この組み合わせにより、湿式ベンチや単一ウエハ ソリューションで運用コストを低く抑えながら、優れたプロセス性能を実現できます。
フォトレジスト / ドライフィルム ストリップ
- ImmJET技術を搭載したWaferStormシステムは、フォト レジスト ストリップおよびドライフィルム ストリップのアプリケーションにおいて、優れたプロセス性能と低い所有コストを実現します。特に、レジストが厚く取り除くのが困難な場合、浸漬と高圧スプレーの組み合わせにより、確実に材料の除去ができます。さらに、独自のろ過技術により、ダウンタイムの短縮と生産性の向上を実現します。
フラックス クリーン
- 高度なパッケージングでは、ウエハのバンピングおよび接合の形成プロセスにフラックス洗浄が不可欠です。これによって、酸化層とハンダの原料によって残留した他の不純物が除去され、この後のアセンブリ ステップのために金属界面が清潔に保たれます。液状のフラックス剤はバンプ面に付着するため、追加の洗浄ステップを使用して、取り残された残留物を除去する必要があります。バンプ ピッチが微細になるにつれ、フラックス塗布の残留物の除去がさらに困難になります。WaferStormプラットフォームに搭載されているVeecoの特許権を有する液浸および噴霧テクノロジーは、条件の厳しい領域からのフラックス剤の残留物の除去に特に適しています。
スクラバー
- Veeco PSPの片面および両面枚葉処理洗浄技術は、多くの用途で高効率のパーティクル除去を実現します。Veecoの特許取得済みの両面PVAブラシ システムは、上面、底面および側面を洗浄します。追加の片面PVAブラシ スクラブ技術は、すべてのウエハ サイズで最も効果的な洗浄結果を得るために、高速噴霧（HVS）およびメガソニックとともに利用できます。
TSV クリーン
- TSV洗浄は、信頼性に不可欠で重要なプロセスステップです。深堀り反応性イオン エッチング（DRIE）プロセスでは、その後のバリア、シードおよび充填ステップで欠陥とボイドを発生させる可能性のある、ポリマー残留物が取り残されます。ImmJET技術を搭載したWaferStorm は、浸漬と高圧スプレープロセスの連続的組み合わせにより、湿式ベンチのみ、またはスプレーのみのツールでは取り除けない高アスペクト比の穴にある残留物を除去します。