Veecoの低温ガスソースは、MBEシステムにおいてCBr4やNH3のようなガス ソースの低コスト導入を実現します。このユニットは、迅速にガスを切り替える大型伝導管と、優れた成膜均一性を生みだす拡散板が特長です。基板に届く前にプレクラッキングを必要としない、ガスソースに最適です。1つの取付フランジ上のこのソースと、原子状水素ソースもしくは円錐状ドーパント ソースを結合させることで、MBEプロセスの柔軟性と歩留まりを高めることができます。

• プレクラッキングを伴わずにガスを導入
• 窒化物成長のためのアンモニア ソース
• 有機金属原料に最適なインジェクター
• 50台以上の出荷実績

MBEシステム用のVeeco低温ガス ソースは、熱プレクラッキングを伴わずにソース ガスを導入する低コストな方法を提供します。このソースには、素早いガス切り替え用大容量チューブ、および、優れた成膜均一性のための拡散板が備えられています。フラックスの高度なモデリングを使用して、特定のMBEシステムの最適なパフォーマンスを実現するためにエンド プレートの穴パターンをカスタマイズします。真空外のバンド ヒーターによりソースを200℃未満の温度範囲で加熱します。これは、チューブ内のガスの凝縮を防ぐには十分な温度範囲で、クラッキングを促進するほど高い範囲ではありません。

MBEシステムのソース ポートを有効に活用するために、このソースを、単一取付フランジ上で原子状水素ソースまたは円錐状ドーパント ソースと組み合わせることができます。ソースを組み合わせた場合、ガス インジェクターには個別のバンド ヒーターがないため、ソースまたは水素クラッキング フィラメントで加熱します。

性能と利点

このソースは、以下の用途に最適なガスインジェクターです。

• GaN成膜用NH3
• Cドーピング用のCBr4
• 基板に届く前に熱プレクラッキングを必要としないその他の望ましいソース ガス
• 優れた均一性によりシステムへのガス負荷を最小化し最適化されたビーム フラックス

MBEのグローアーは、GaNおよびその他の窒化物を含む原料の蒸着にさまざまな活性窒素ソースを使用します。安定性の高いN2ソース ガスはプラズマで活性化する必要がありますが、NH3は熱プレクラッキングなしでも十分に蒸着に反応します。低温ガス ソースは、NH3を成長チャンバーに注入するのに最適です。コンダクタンスチューブは十分に（200°C以下で）加熱されており、ソースガスのクラッキングを行わなくても凝縮を防ぎます。通常、基板温度は700～900°Cの範囲内にあるため、NH3は直接基板で解離します。