研究開発および生産用のPropel GaN MOCVDシステム
Veecoの実績あるTurboDisc技術に基づいて構築され、次世代デバイスのプロセス開発を加速
VeecoのPropel™ MOCVDシステムは、初期段階の研究開発および窒化物アプリケーションの小規模生産ニーズに応える柔軟なプラットフォームとして設計されています。リアクターは、シリコン、サファイア、炭化ケイ素などのさまざまな基板上で、9×2インチ、3×4インチ、1×6インチ、および1×8インチを処理することができ、実行の間にハードウェアを変更する必要はありません。システムは、パワー、RF、フォトニクスなどの複数のアプリケーション向けに高品質のGaN膜を蒸着します。R200リアクターは、ウエハ全体で層状の流量と一様な温度プロファイルを実現するIsoFlange™とSymmHeat™技術を含む、Veecoの最先端のTurboDisc®設計に基づいています。お客様はVeeco D180、K465i™、またはMaxBright™システムからPropel GaN MOCVDプラットフォームに、プロセスを容易に移行できます。
200mm（8インチ）シリコン基板のVeeco® Propel® TurboDisc® MOCVDツールでGaN HEMT構造を成長させる基本的なプロセスについて説明します。この情報は、あらゆる種類の商業システムや商業用途での使用に対して、設計、意図、推奨、または認定を行うものではありません。